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演示机型：华为MateBookX 系统版本：win10 1、结构：mlc是双层，tlc是三层，qlc是四层。
2、单个cell存储数据量：mlc为2bit，tlc为3bit，qlc为4bit。
3、理论擦写次数：mlc是3000-10000，tlc是500-1000，qlc是150。
固态硬盘：
因为台湾英语里把固体电容称为Solid而得名。SSD由控制单元和存储单元组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上基本与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等诸多领域。芯片的工作温度范围很大，商规产品（0~70℃）工规产品（-40~85℃）。虽然成本较高，但是正在普及至DIY市场。
NAND SSD在容量和成本上挑战HDD的时代已经到来。4月底英特尔在上海专程召开媒体分享会，英特尔NAND产品与解决方案事业部中国区销售总监倪锦峰及两位技术专家披露出更多的产品技术信息。
依托3D QLC产品的容量与寿命优势，英特尔为企业级用户向闪存或大容量闪存加速使用场景提供更具性价比的产品解决方案。
部分个人消费者，对QLC产品有着太多的情绪。在“同等”技术条件下，QLC NAND的寿命少于TLC是很多人的认知，这一问题在替换栅极技术产品上表现更为突出。然而，对采用浮动栅极（FG）技术的英特尔3D QLC来说，结构上的天然优势，使它能够提供更低的漏电率、更高的数据保留率，单元之间有着良好的电荷隔离，反映到终端产品就是更高的数据可靠性、更好的读写寿命。
根据英特尔透露的信息，第一代QLC的SSD的擦写次数只有1000次，第二代产品已经提升到1500次，而现在这一代产品已经达到3000次的读写寿命，再加上固件层面的优化，如今英特尔的3D QLC SSD产品层面的寿命提升了4倍。
在产品方面，英特尔已经如期出货基于144层3D NAND的SSD，如面向数据中心的基于144层TLC的P5510已经开售、 基于144层QLC的D5-P5316也已于4月发布，更为主流的基于144层TLC的SATA产品S4520和S4620也即将发布，在消费级产品方面，670p SSD及含有Optane Memory（傲腾内存）的H20增强型SSD也都采用了144层 3D QLC。不过，对NAND产品来说，更多的介质层数能够该来的容量增益在逐渐降低，而相应的制造成本、制造周期在快速提升。
随着NAND从32层、64层、96层再到144层，光刻及刻蚀等工序所耗的时间成倍提升。就算不考虑研磨、晶片打磨等工序，仍需购买更多的刻蚀机、光刻机来满足生产需求；同时，晶圆生产时间随层数增加而变得更长，从以前的数周增加到十数周，从投入晶圆到产品产出的时间倍增，综合来看晶圆产能甚至有所丢失，这样的直接成本收益逐渐收敛。
因此除了增加单元层数，NAND还需同步改进单元结构，从SLC到MLC、MLC到TLC、TLC到QLC、QLC到PLC，获得额外成本收益。
浮动栅极技术带来的更高单元面密度及数据可靠性，更多堆叠单元层数再加上更大的NAND芯片尺寸（DIE size），使更多专注于数据中心的英特尔，能够提供更大容量的SSD产品。如最新采用E1.L封装的D5-P5316 SSD产品，最大可提供30.72TB的存储容量，单位容量的存储所占空间，只有基于HDD产品的1/20，这样的容量再加上基于PCI-E插槽的性能，是传统HDD存储解决方案不可比拟的，尤其对云存储、大数据、AI应用场景有着有着巨大的吸引力。
英特尔是第一家在数据中心和客户端均出货QLC NAND SSD的公司，相关产品主要覆盖读取密集型应用，做为HDD存储的替代型温数据存储解决方案出现。而在混合工作负载和写入密集型工作负载领域，英特尔部署了傲腾SSD、傲腾持久内存等多层产品方案。
在英特尔SSD产品品牌端，根据此前与SK Hynix所达成的协议，将于2021年和2025年分批转入海力士，其对客户的承诺和支持将保持不变。
随着SK Hynix相关资源的投入，相关产品的产能会更有保障，创新的力度有望更快。
qlc和tlc哪个好：
qlc好
原因如下：
qlc：可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，qlc表现差在写入速度上。
tlc：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的tlc颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
qlc由于单位存储密度更大，是tlc的两倍，所以其电压更难控制，从而影响到性能以及稳定性；而Intel 660P采用qlc闪存的写入总数据量大约为100TBW，只是同样容量西部数据SN500采用tlc闪存的三分之一左右，因而我们也能够对比出qlc寿命相较于tlc会低很多。
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